RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2087
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link