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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3300
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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