RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3230
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link