RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3774
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link