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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Compara
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.1
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2409
4276
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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