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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
12800
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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