RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2497
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link