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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2290
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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