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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2760
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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