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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2562
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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