RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3187
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link