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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2480
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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