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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3214
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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