RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
73
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1727
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link