RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3090
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link