RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3917
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link