RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3158
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link