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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
56
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3060
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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