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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3781
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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