RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2089
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link