RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3402
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link