RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2505
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link