RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3157
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link