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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3574
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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