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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3648
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Mushkin 991586 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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