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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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