RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2298
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link