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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
64
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2065
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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