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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3571
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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