RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link