RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3609
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link