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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2762
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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