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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3870
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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