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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2427
3005
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
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