RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
49
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3723
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link