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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
44
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
18.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3691
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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