RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
89
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
89
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
1571
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link