RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
14
44
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
25.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
14
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
25.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
19.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
4182
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link