RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3861
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link