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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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