RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3524
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link