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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2701
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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