RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
54
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2801
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link