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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
54
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2940
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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