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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3859
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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