RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
54
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3288
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link