RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3064
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link