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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3232
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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