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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2888
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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