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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3391
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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